电子电路大全(PDF格式)-第184章
按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页,按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页,按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部!
————未阅读完?加入书签已便下次继续阅读!
7 AGND LNA 和PA 地
8 AGND PA 地
9 AGND VCO 和分频器地
10 L1 VCO 谐振回路
…………………………………………………………Page 908……………………………………………………………
第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·237 ·
续表
引 脚 符 号 功 能
11 L2 VCO 谐振回路
12 AVDD VCO 和分频器电源
13 CHP_OUT 充电泵电流输出到回路滤波器
14 R_BIAS 接偏置电阻(82 kOhm; ±1%)
15 AVDD 模拟电路电源
16 AGND 模拟电路地
17 AGND 模拟电路地
18 XOSC_Q1 3…24 MHz 晶振输入
19 XOSC_Q2 3…24 MHz 晶振输出
20 XOSC32_Q2 32 kHz 晶振输出
21 XOSC32_Q1 32 kHz 晶振输入
22 AGND 模拟地
23 DGND 数字地
24 DGND 数字地
25 POR_E 电源导通,复位使能:
0: 不使能电源,导通复位
1: 使能电源,导通复位
26 P1_0 8051 I/O
27 P2_0 8051 I/O RXD1(O)
28 P2_1 8051 I/O TXD1(O)
29 P3_5 8051 I/O PWM3 T1 (I)
30 P3_4 8051 I/O PWM2 (O) T0 (I)
31 P3_3 8051 I/O INT1 (I)
32 DGND 数字地
33 P0_0 8051 I/O SCK (O)
34 P0_1 8051 I/O MO (O)SI (I)
35 P1_1 8051 I/O
36 P1_2 8051 I/O
37 P1_3 8051 I/O
38 P1_4 8051 I/O
39 P2_2 8051 I/O
40 DVDD 数字电源
41 DGND 数字地
42 P2_3 8051 I/O
43 DVDD 数字电源
…………………………………………………………Page 909……………………………………………………………
·238 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
引 脚 符 号 功 能
44 P2_4 8051 I/O
45 P2_5 8051 I/O
46 P3_2 8051 I/O INT0 (I)
47 P3_1 8051 I/O TXD0 (O)
48 P3_0 8051 I/O RXD0 (I)
49 DGND 数字地
50 DVDD 数字电源
51 P0_2 8051 I/O MI (I) SO (O)
52 P0_3 8051 I/O
53 P1_5 8051 I/O
54 P1_6 8051 I/O
55 P1_7 8051 I/O
56 P2_6 8051 I/O
57 P2_7 8051 I/O
58 PEOG 8051 I/O
59 RESET 8051 I/O
60 DVDD 8051 I/O
61 AD0 8051ADC 输入0
62 AD1 8051ADC 输入1
63 AD2 8051ADC 输入2 ,RSSI (O) IF (O)
64 AGND 模拟地
3。8。4 内部结构与工作原理
CC1010 内部结构框图如图3。8。2 所示。 芯片内部包含由微控制器和收发器电路。微控
制器部分见有关参考书籍。
收发器部分包含有:接收器部分和发射器部分。接收器部分由低噪声放大器(LNA )、
混频器(MIXER )、中频放大器(IF )、解调器(MODEM )、解码器(CODEC )组成。发射
器部分由功率放大器(PA )、PLL (VCO 、充电泵、分频器)等电路组成。
在接收模式中,CC1010 是被配置成超外差式接收机。RF 输入信号被低噪声放大器放大,
经由混频器变换成中频(
IF )。在中频级,这个被变换的信号在送入解调器之前被放大和滤波。
经过解调器后输出的数字数据送入微控制器处理。
在发射模式中,压控振荡器(VCO )的输出信号是直接送入到功率放大器,RF 输出是
由微控制器的数字比特流频移键控。
频率合成器产生的本振信号在接收模式时被送到混频器(MIXER ),在发射模式时馈送
到功率放大器。频率合成器是由晶体振荡器、相位检波器、充电泵、VCO 和分频器组成。外
接晶体必须连接到XOSC 端。对于VCO 需要外接一个电感L3 。
CC1010 芯片工作状态设置由芯片内微控制器完成。
…………………………………………………………Page 910……………………………………………………………
第3 章 射频收发器芯片原理与应用电路设计 ·239 ·
图3。8。2 CC1010 内部结构框图
3。8。5 应用电路设计
一个典型的应用电路如图3。8。3 所示,不同工作频率的元器件参数值如表3。8。3 所示。
表3。8。3 不同工作频率的元器件参数值
项目 315MHz 433MHz 868MHz 915MHz
C31 TBD pF;5%;C0G;0603 10pF;5%;C0G;0603 8。2pF;5%;C0G;0603 8。2pF;5%;C0G;0603
C41 TBD pF;5%;C0G;0603 6。8pF;5%;C0G;0603 — —
C42 TBD pF;5%;C0G;0603 8。2pF;5%;C0G;0603 10pF;5%;C0G;0603 10pF;5%;C0G;0603
C171 18 pF;5%;C0G;0603 18pF;5%;C0G;0603 18pF;5%;C0G;0603 18pF;5%;C0G;0603
C181 18 pF;5%;C0G;0603 18pF;5%;C0G;0603 18pF;5%;C0G;0603 18pF;5%;C0G;0603
…………………………………………………………Page 911……………………………………………………………
·240 · 射频集成电路芯片原理与应用电路设计
续表
项目 315MHz 433MHz 868MHz 915MHz
L32 TBD nH;10%;0805 68nH;10%;0805 12nH;10%;0805 12nH;10%;0805
(线圈形式0805CS…680XKBC) (线圈形式0805HQ…2N5XKBC) (线圈形式
0805CS…120XKBC)
L41 TBD nH;10%;0805 6。2nH;10%;0805 2。5nH;10%;0805 2。5nH;10%;0805
(线圈形式0805HQ…6N2XKBC) (线圈形式0805HQ…2N5XKBC) (线圈形式
0805HQ…2N5XKBC)
L101 TBD nH;5%;0805 27nH;5%;0805 3。3nH;5%;0805 3。3nH;5%;0805
(Koa KL732ATE27NJ) (koa KL732ATE3N3C) (koa KL732ATE3N3C)
R131 82kOhm;1%;0603 82kOhm;1%;0603 82kOhm;1%;0603 82kOhm;1%;0603
XTAL 14。7456MHz 晶振,